IRGP35B60PDPBF vs IRGP35B60PD-EP

Dieser detaillierte Vergleich von IRGP35B60PDPBF und IRGP35B60PD-EP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3801 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRGP35B60PD-EP

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2708 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRGP35B60PDPBF	IRGP35B60PD-EP
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.55V @ 15V, 35A	2.55V @ 15V, 35A
Power - Max	308 W	308 W
Switching Energy	220µJ (on), 215µJ (off)	220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	160 nC
Td(on / off) @ 25°C	26ns/110ns	26ns/110ns
Test Condition	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	42 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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