IRGP4066DPBF vs IRGP4055DPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRGP4066DPBF und IRGP4055DPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP4066DPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7138 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRGP4055DPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 9198 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRGP4066DPBF	IRGP4055DPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	Trench	Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	300 V
Current - Collector(Ic)(Max)	140 A	110 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.1V @ 15V, 75A	2.1V @ 15V, 110A
Power - Max	454 W	255 W
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	150 nC	132 nC
Td(on / off) @ 25°C	50ns/200ns	44ns/245ns
Reverse Recovery Time (trr)	155 ns	27 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Current - Collector Pulsed(Icm)	225 A	-
Switching Energy	2.47mJ (on), 2.16mJ (off)	-
Test Condition	400V, 75A, 10Ohm, 15V	-

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