IRGP4066DPBF vs IRGP4063D1-EPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRGP4066DPBF und IRGP4063D1-EPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP4066DPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7138 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

+Stückliste Anfrage

Part B

IRGP4063D1-EPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2240 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRGP4066DPBF	IRGP4063D1-EPBF
Supplier	-	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	140 A	100 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	225 A	192 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.1V @ 15V, 75A	2.14V @ 15V, 48A
Power - Max	454 W	330 W
Switching Energy	2.47mJ (on), 2.16mJ (off)	1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	150 nC	150 nC
Td(on / off) @ 25°C	50ns/200ns	60ns/160ns
Test Condition	400V, 75A, 10Ohm, 15V	400V, 48A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	155 ns	80 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
IGBT Type	Trench	-

Compare Anfrage