IRLML2246TRPBF vs IRLML2030TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2246TRPBF und IRLML2030TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML2246TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4292 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRLML2030TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4830 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRLML2246TRPBF	IRLML2030TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.6A (Ta)	2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	2.5V, 4.5V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	135mOhm @ 2.6A, 4.5V	100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.1V @ 10µA	2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.9 nC @ 4.5 V	1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±12V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	220 pF @ 16 V	110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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