IRLML2402TRPBF vs IRLML2246TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2402TRPBF und IRLML2246TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML2402TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2066 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRLML2246TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
4292 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRLML2402TRPBF IRLML2246TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IRLML2402 -
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 930mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V -
Vgs (Max) ±12V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 2.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 220 pF @ 16 V
Compare Anfrage