IRLML6401TRPBF vs IRLML2402TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6401TRPBF und IRLML2402TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6401TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6783 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRLML2402TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2066 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage

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Specification IRLML6401TRPBF IRLML2402TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Obsolete
Base Product Number IRLML6401 IRLML2402
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta) 1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V 110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 540mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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