IRLML6402TRPBF vs IRLML6401TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6402TRPBF und IRLML6401TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3910 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRLML6401TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6783 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage

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Specification IRLML6402TRPBF IRLML6401TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Last Time Buy
Base Product Number IRLML6402 IRLML6401
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta) 4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±12V ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 10 V 830 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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