IRLML6402TRPBF vs IRLML6344TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6402TRPBF und IRLML6344TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3910 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

IRLML6344TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5999 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRLML6402TRPBF	IRLML6344TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	5A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	6.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	650 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	IRLML6402	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	-
Vgs (Max)	±12V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 10 V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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