IRLML6402TRPBF vs IRLML6246TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6402TRPBF und IRLML6246TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3910 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

+Stückliste Anfrage

Part B

IRLML6246TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5006 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML6402TRPBF	IRLML6246TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
Base Product Number	IRLML6402	-
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	-
Vgs (Max)	±12V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 10 V	-
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.1V @ 5µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	290 pF @ 16 V

Compare Anfrage