IRLML6402TRPBF vs IRLML6302TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6402TRPBF und IRLML6302TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3910 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRLML6302TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
5057 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage

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Specification IRLML6402TRPBF IRLML6302TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Obsolete
Base Product Number IRLML6402 IRLML6302
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta) 780mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.45 V
Vgs (Max) ±12V ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 10 V 97 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 540mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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