IRLML6401TRPBF vs IRLML0100TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6401TRPBF und IRLML0100TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6401TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6783 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

IRLML0100TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2453 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRLML6401TRPBF	IRLML0100TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	1.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	290 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	IRLML6401	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4.3A, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V	-
Vgs (Max)	±8V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830 pF @ 10 V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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