IRLML2502TRPBF vs IRLML5203

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2502TRPBF und IRLML5203 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML2502TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 1725 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

IRLML5203

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6689 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRLML2502TRPBF	IRLML5203
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	98mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	14 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	510 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	1.25W (Ta)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	IRLML2502	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 4.2A, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	-
Vgs (Max)	±12V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 15 V	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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