IRLML5203TRPBF vs IRLML0030TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML5203TRPBF und IRLML0030TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML5203TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4490 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

IRLML0030TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4058 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRLML5203TRPBF	IRLML0030TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	382 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	IRLML5203	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98mOhm @ 3A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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