IRLML2502TRPBF vs IRLML5203TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2502TRPBF und IRLML5203TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML2502TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
1725 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRLML5203TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
4490 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRLML2502TRPBF IRLML5203TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Last Time Buy
Base Product Number IRLML2502 IRLML5203
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta) 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V 98mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V 510 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Compare Anfrage