IRLML5203 vs IRLML6346TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML5203 und IRLML6346TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML5203

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6689 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
Part B

IRLML6346TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7049 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRLML5203 IRLML6346TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Ta) 3.4A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 98mOhm @ 3A, 10V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 270 pF @ 24 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)