IRLML5203 vs IRLML2060TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML5203 und IRLML2060TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML5203

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6689 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRLML2060TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3852 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRLML5203	IRLML2060TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3A (Ta)	1.2A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	98mOhm @ 3A, 10V	480mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V	0.67 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	510 pF @ 25 V	64 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	1.25W (Ta)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)

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