JANTX2N6796 vs JANTX2N2326

Dieser detaillierte Vergleich von JANTX2N6796 und JANTX2N2326 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N6796

Microsemi Corporation

Lifecycle
Active
Stock
2949 Stückzahl
Package
TO-205AF-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Part B

JANTX2N2326

Mikrochip-Technologie

Lifecycle
Active
Stock
8798 Stückzahl
Package
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Series
Thyristoren und SCR
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification JANTX2N6796 JANTX2N2326
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/276
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Off State - 200 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Current - On State(It(AV))(Max) - 220 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 2 mA
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 125°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
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