JANTX2N6796 vs JANTX2N2329 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von JANTX2N6796 und JANTX2N2329 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
JANTX2N6796

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2949 Stückzahl | Microsemi Corporation
JANTX2N2329

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6723 Stückzahl | Mikrochip-Technologie
Paket TO-205AF-3 TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF SCR 400V TO5
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/276
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Off State - 400 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Current - On State(It(AV))(Max) - 220 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 2 mA
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 125°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
Vergleichsmodell : JANTX2N6796 JANTX2N2329

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