JANTX2N6796 vs JANTX2N2907A Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von JANTX2N2907A und JANTX2N6796 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
TO-205AF-3
Beschreibung
TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Supplier
Microchip Technology
-
Series
Military, MIL-PRF-19500/291
Military, MIL-PRF-19500/557
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP
-
Current - Collector(Ic)(Max)
600 mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
60 V
-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
-
Current - Collector Cutoff(Max)
50nA
-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
100 @ 150mA, 10V
-
Power - Max
500 mW
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
FET Type
-
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28.51 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Power Dissipation (Max)
-
800mW (Ta), 25W (Tc)
