JANTX2N6796 vs JANTX2N3029 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von JANTX2N6796 und JANTX2N3029 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-205AF-3
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
SCR 1KV 250MA TO18
Supplier
-
Microchip Technology
Series
Military, MIL-PRF-19500/557
Military, MIL-S-19500/419
Part Status
Obsolete
Active
Voltage - Off State
-
1 kV
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max)
-
800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max)
-
200 µA
Voltage - On State(Vtm)(Max)
-
1.5 V
Current - On State(It(RMS))(Max)
-
250 mA
Current - Hold(Ih)(Max)
-
5 mA
Current - Off State(Max)
-
100 nA
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm)
-
5A, 8A
SCR Type
-
Sensitive Gate
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-65°C ~ 150°C
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
8A (Tc)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
195mOhm @ 8A, 10V
-
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
28.51 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
-
