JANTX2N7236 vs JANTX2N2326S

Dieser detaillierte Vergleich von JANTX2N7236 und JANTX2N2326S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N7236

Microsemi Corporation

Lifecycle: Active
Stock: 2916 Stückzahl
Package: TO-254AA
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

JANTX2N2326S

Mikrochip-Technologie

Lifecycle: Active
Stock: 9154 Stückzahl
Package: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Series: Thyristoren und SCR

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Full specification comparison

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Specification	JANTX2N7236	JANTX2N2326S
Supplier	-	Microchip Technology
Series	Military, MIL-PRF-19500/595	Military, MIL-PRF-19500/276
Part Status	Obsolete	Obsolete
Voltage - Off State	-	200 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max)	-	800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max)	-	200 µA
Current - On State(It(AV))(Max)	-	220 mA
Current - Hold(Ih)(Max)	-	2 mA
SCR Type	-	Sensitive Gate
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-65°C ~ 125°C
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
FET Type	P-Channel	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	18A (Tc)	-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	220mOhm @ 18A, 10V	-
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V	-
Vgs(Max)	±20V	-
Power Dissipation (Max)	4W (Ta), 125W (Tc)	-

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