JANTX2N7236 vs JANTXV2N2857

Dieser detaillierte Vergleich von JANTX2N7236 und JANTXV2N2857 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N7236

Microsemi Corporation

Lifecycle
Active
Stock
2916 Stückzahl
Package
TO-254AA
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

JANTXV2N2857

Microsemi Corporation

Lifecycle
Active
Stock
9036 Stückzahl
Package
TO-72-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT,RF)
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification JANTX2N7236 JANTXV2N2857
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/343
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type - NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 15V
Frequency - Transition - 500MHz
Noise Figure(d B Typ @ f) - 4.5dB @ 450MHz
Gain - 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Power - Max - 200mW
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 30 @ 3mA, 1V
Current - Collector(Ic)(Max) - 40mA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 18A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 125W (Tc) -
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