LM211DR vs LM211DR2

Dieser detaillierte Vergleich von LM211DR und LM211DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM211DR

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6402 Stückzahl | Texas Instruments
LM211DR2

+Stückliste

7541 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC (D)-8
Beschreibung IC DIFF COMPARATOR W/STRB 8-SOIC IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
Type General Purpose -
NumberofElements 1 -
OutputType DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 3mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.1µA @ ±15V -
Current-Output(Typ) 50mA -
Current-Quiescent(Max) 6mA -
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : LM211DR LM211DR2

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