LM258DR2G vs LM258AWYDT Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LM258DR2G und LM258AWYDT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM258DR2G

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7313 Stückzahl | Onsemi
LM258AWYDT

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8571 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - STMicroelectronics
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate - 0.6V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1.1 MHz
Current - Input Bias 45 nA 20 nA
Voltage - Input Offset 2 mV 1 mV
Supply Current 800µA (x2 Channels) 700µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 32 V 30 V
Operating Temperature -25°C ~ 85°C -40°C ~ 105°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM258DR2G LM258AWYDT

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