LM258DR2G vs LM258DG

Dieser detaillierte Vergleich von LM258DR2G und LM258DG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM258DR2G

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7313 Stückzahl | Onsemi
LM258DG

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8656 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 45 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 800µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM258DR2G LM258DG

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