LM311DT vs LM311DR2G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LM311DR2G und LM311DT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM311DR2G

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6292 Stückzahl | Onsemi
LM311DT

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2187 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC
Part Status Active Active
Type General Purpose General Purpose
Number of Elements 1 1
Output Type DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 5V ~ 30V, ±2.5V ~ 15V 5V ~ 30V, ±2.5V ~ 15V
Voltage - Input Offset (Max) 7.5mV @ ±15V 7.5mV @ ±15V
Current - Input Bias(Max) 0.25µA @ ±15V 0.25µA @ ±15V
Current - Quiescent (Max) 7.5mA 7.5mA
Operating Temperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Output (Typ) - 50mA
Vergleichsmodell : LM311DR2G LM311DT

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