LM358BAIDR vs LM358DG

Dieser detaillierte Vergleich von LM358BAIDR und LM358DG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2857 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

LM358DG

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 9337 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Full specification comparison

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Specification	LM358BAIDR	LM358DG
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Gain Bandwidth Product	1.2 MHz	1 MHz
Current - Input Bias	10 nA	45 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	2 mV
Supply Current	300µA (x2 Channels)	800µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	32 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	0°C ~ 70°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Slew Rate	0.5V/µs	-

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