LM358BAIDR vs LM358DRE4

Dieser detaillierte Vergleich von LM358BAIDR und LM358DRE4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2857 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

+Stückliste Anfrage

Part B

LM358DRE4

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 8870 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	LM358BAIDR	LM358DRE4
Supplier	-	Texas Instruments
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Slew Rate	0.5V/µs	0.3V/µs
Gain Bandwidth Product	1.2 MHz	700 kHz
Current - Input Bias	10 nA	20 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	3 mV
Supply Current	300µA (x2 Channels)	500µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	30 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage