LM358BIDR vs LM358DE4

Dieser detaillierte Vergleich von LM358BIDR und LM358DE4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 4146 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

LM358DE4

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 8540 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Full specification comparison

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Specification	LM358BIDR	LM358DE4
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
Part Status	Active	Obsolete
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Slew Rate	0.5V/µs	0.3V/µs
Gain Bandwidth Product	1.2 MHz	700 kHz
Current - Input Bias	10 nA	20 nA
Voltage - Input Offset	300 µV	3 mV
Supply Current	300µA (x2 Channels)	500µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	30 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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