LM358BAIDR vs LM358BIDR

Dieser detaillierte Vergleich von LM358BAIDR und LM358BIDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2857 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

LM358BIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 4146 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Full specification comparison

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Specification	LM358BAIDR	LM358BIDR
Part Status	Active	Active
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Slew Rate	0.5V/µs	0.5V/µs
Gain Bandwidth Product	1.2 MHz	1.2 MHz
Current - Input Bias	10 nA	10 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	300 µV
Supply Current	300µA (x2 Channels)	300µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	36 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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