LM358DR2G vs LM358BAIDR

Dieser detaillierte Vergleich von LM358BAIDR und LM358DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358BAIDR

+Stückliste

2857 Stückzahl | Texas Instruments
LM358DR2G

+Stückliste

7716 Stückzahl | Onsemi
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.5V/µs -
GainBandwidthProduct 1.2 MHz 1 MHz
Current-InputBias 10 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 300µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM358BAIDR LM358DR2G

+Stückliste Anfrage