LT1013DDR vs LT1012ACS8#TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DDR und LT1012ACS8#TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SO
Supplier
-
Analog Devices Inc.
Part Status
Active
Active
Amplifier Type
General Purpose
General Purpose
Number of Circuits
2
1
Slew Rate
0.4V/µs
0.2V/µs
Current - Input Bias
18 nA
25 pA
Voltage - Input Offset
90 µV
8 µV
Supply Current
320µA (x2 Channels)
380µA
Voltage - Supply Span(Min)
5 V
2.4 V
Voltage - Supply Span(Max)
30 V
40 V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
0°C ~ 70°C
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Gain Bandwidth Product
1 MHz
-
