LT1167CS8 vs LT1161CSW#PBF

Dieser detaillierte Vergleich von LT1167CS8 und LT1161CSW#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1167CS8

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1499 Stückzahl | Analog Devices Inc.
LT1161CSW#PBF

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5879 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket SOP-20
Beschreibung IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration - High-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 4
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 8V ~ 48V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2V
InputType - Non-Inverting
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType Instrumentation -
NumberofCircuits 1 -
SlewRate 1.2V/µs -
GainBandwidthProduct 1 MHz -
Current-InputBias 80 pA -
Voltage-InputOffset 20 µV -
Current-Supply 900µA -
Current-Output/Channel 27 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 4.6 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V -
Vergleichsmodell : LT1167CS8 LT1161CSW#PBF

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