LT1167CS8 vs LT1160IS#TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von LT1167CS8 und LT1160IS#TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1167CS8

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1499 Stückzahl | Analog Devices Inc.
LT1160IS#TRPBF

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4554 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket SOP14
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 15V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.5A, 1.5A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 60 V
Rise/FallTime(Typ) - 130ns, 60ns
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType Instrumentation -
NumberofCircuits 1 -
SlewRate 1.2V/µs -
GainBandwidthProduct 1 MHz -
Current-InputBias 80 pA -
Voltage-InputOffset 20 µV -
Current-Supply 900µA -
Current-Output/Channel 27 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 4.6 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V -
Vergleichsmodell : LT1167CS8 LT1160IS#TRPBF

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