LT1167CS8 vs LT1162ISW#TRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LT1167CS8 und LT1162ISW#TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1167CS8

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1499 Stückzahl | Analog Devices Inc.
LT1162ISW#TRPBF

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2996 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket SOP-24
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 4
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 10V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.5A, 1.5A
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 60 V
Rise / Fall Time(Typ) - 130ns, 60ns
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type Instrumentation -
Number of Circuits 1 -
Slew Rate 1.2V/µs -
Gain Bandwidth Product 1 MHz -
Current - Input Bias 80 pA -
Voltage - Input Offset 20 µV -
Supply Current 900µA -
Current - Output / Channel 27 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 4.6 V -
Voltage - Supply Span(Max) 36 V -
Vergleichsmodell : LT1167CS8 LT1162ISW#TRPBF

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