MBR120VLSFT1G vs MBR120VLSFT3

Dieser detaillierte Vergleich von MBR120VLSFT1G und MBR120VLSFT3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 20 V 20 V
Current - Average Rectified(Io) 1A 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 340 mV @ 1 A 340 mV @ 1 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 600 µA @ 20 V 600 µA @ 20 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount