MBR30100CTF-G1 vs MBR3035CT Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MBR30100CTF-G1 und MBR3035CT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MBR30100CTF-G1

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6258 Stückzahl | Dioden Incorporated
MBR3035CT

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6676 Stückzahl | Taiwan Semiconductor Corporation
Paket TO-220F-3 TO-220-3
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO220
Supplier - Taiwan Semiconductor Corporation
Part Status Active Active
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 35 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 15A 30A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 850 mV @ 15 A 820 mV @ 30 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 100 V 200 µA @ 35 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : MBR30100CTF-G1 MBR3035CT

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