MC33171DR2G vs MC33153D

Dieser detaillierte Vergleich von MC33171DR2G und MC33153D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MC33171DR2G

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2683 Stückzahl | Onsemi
MC33153D

+Stückliste

8143 Stückzahl | Onsemi
Paket 8-SOIC 8-SOIC
Beschreibung IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration - Low-Side
ChannelType - Single
NumberofDrivers - 1
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 11V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 1.2V, 3.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1A, 2A
InputType - Inverting
Rise/FallTime(Typ) - 17ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 1 -
SlewRate 2.1V/µs -
GainBandwidthProduct 1.8 MHz -
Current-InputBias 20 nA -
Voltage-InputOffset 2 mV -
Current-Supply 220µA -
Current-Output/Channel 27 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V -
Vergleichsmodell : MC33171DR2G MC33153D

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