MC33171DR2G vs MC33151DR2

Dieser detaillierte Vergleich von MC33171DR2G und MC33151DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33171DR2G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2683 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker
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Specification MC33171DR2G MC33151DR2
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - Low-Side
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 6.5V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.5A, 1.5A
Input Type - Inverting
Rise / Fall Time(Typ) - 31ns, 32ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type General Purpose -
Number of Circuits 1 -
Slew Rate 2.1V/µs -
Gain Bandwidth Product 1.8 MHz -
Current - Input Bias 20 nA -
Voltage - Input Offset 2 mV -
Supply Current 220µA -
Current - Output / Channel 27 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 3 V -
Voltage - Supply Span(Max) 44 V -
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