MCP6562-E/SN vs MCP651T-E/SN

Dieser detaillierte Vergleich von MCP6562-E/SN und MCP651T-E/SN bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MCP6562-E/SN

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6410 Stückzahl | Mikrochip-Technologie
MCP651T-E/SN

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8278 Stückzahl | Mikrochip-Technologie
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Microchip Technology
Series - mCal Technology
ProductStatus Active Active
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 1
OutputType CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL Rail-to-Rail
SlewRate - 30V/µs
GainBandwidthProduct - 50 MHz
Current-InputBias - 6 pA
Voltage-InputOffset - 200 µV
Current-Supply - 6mA
Current-Output/Channel - 100 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 2.5 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 5.5 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Type General Purpose -
NumberofElements 2 -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 1.8V ~ 5.5V -
Voltage-InputOffset(Max) 10mV @ 5.5V -
Current-InputBias(Max) 1pA @ 5.5V -
Current-Output(Typ) 50mA -
Current-Quiescent(Max) 130µA -
CMRRPSRR(Typ) 66dB CMRR, 70dB PSRR -
PropagationDelay(Max) 80ns -
Hysteresis 5mV -
Vergleichsmodell : MCP6562-E/SN MCP651T-E/SN

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