MCP6562-E/SN vs MCP652T-E/SN

Dieser detaillierte Vergleich von MCP6562-E/SN und MCP652T-E/SN bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MCP6562-E/SN

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6410 Stückzahl | Mikrochip-Technologie
MCP652T-E/SN

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9475 Stückzahl | Mikrochip-Technologie
Paket SOIC-8
Beschreibung IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Part Status - Active
Amplifier Type - Standard (General Purpose)
Number of Circuits - 2
Output Type - Rail-to-Rail
Slew Rate - 30V/µs
Gain Bandwidth Product - 50 MHz
Current - Input Bias - 6 pA
Voltage - Input Offset - 200 µV
Current - Supply - 6mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 100 mA
Voltage - Supply Span (Min) - 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max) - 5.5 V
Operating Temperature - -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - MCP652
ProductStatus Active -
Type General Purpose -
NumberofElements 2 -
OutputType CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 1.8V ~ 5.5V -
Voltage-InputOffset(Max) 10mV @ 5.5V -
Current-InputBias(Max) 1pA @ 5.5V -
Current-Output(Typ) 50mA -
Current-Quiescent(Max) 130µA -
CMRRPSRR(Typ) 66dB CMRR, 70dB PSRR -
PropagationDelay(Max) 80ns -
Hysteresis 5mV -
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : MCP6562-E/SN MCP652T-E/SN

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