MMBF4393LT1G vs MMBF4416

Dieser detaillierte Vergleich von MMBF4393LT1G und MMBF4416 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBF4393LT1G

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6952 Stückzahl | Onsemi
MMBF4416

+Stückliste

8852 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Beschreibung JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
TransistorType - N-Channel JFET
Frequency - 100MHz
Gain - 18dB
Voltage-Test - 15 V
CurrentRating(Amps) - 15mA
NoiseFigure - 2dB
Current-Test - 5 mA
Voltage-Rated - 30 V
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 500 mV @ 10 nA -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 14pF @ 15V -
Resistance-RDS(On) 100 Ohms -
Power-Max 225 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : MMBF4393LT1G MMBF4416

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