MMBFJ108 vs MMBFJ310
Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ108 und MMBFJ310 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TO-236-3
TO-236-3
Beschreibung
JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
Supplier
onsemi
onsemi,Flip Electronics
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N-Channel
-
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
25 V
-
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
80 mA @ 15 V
-
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
3 V @ 10 nA
-
Resistance-RDS(On)
8 Ohms
-
Power-Max
350 mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
TransistorType
-
N-Channel JFET
Frequency
-
450MHz
Gain
-
12dB
Voltage-Test
-
10 V
CurrentRating(Amps)
-
60mA
NoiseFigure
-
3dB
Current-Test
-
10 mA
Voltage-Rated
-
25 V
