MMBFJ175LT1G vs MMBFJ310

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ175LT1G und MMBFJ310 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ175LT1G

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2714 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ310

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4243 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3 TO-236-3
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
Supplier - onsemi,Flip Electronics
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType - N-Channel JFET
Frequency - 450MHz
Gain - 12dB
Voltage-Test - 10 V
CurrentRating(Amps) - 60mA
NoiseFigure - 3dB
Current-Test - 10 mA
Voltage-Rated - 25 V
FETType P-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 7 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 3 V @ 10 nA -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Resistance-RDS(On) 125 Ohms -
Power-Max 225 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : MMBFJ175LT1G MMBFJ310

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