MMBFJ175LT1G vs MMBFJ309LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ175LT1G und MMBFJ309LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBFJ175LT1G MMBFJ309LT1G
Part Status Active Active
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 7 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 125 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Current Rating (Amps) - 30mA
Voltage - Rated - 25 V
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