MMBFJ175LT1G vs MMBFJ177LT1 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ175LT1G und MMBFJ177LT1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ175LT1G

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2714 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ177LT1

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8583 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 MOSFET SS P-CHAN 25V SOT23
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 7 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 125 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Vergleichsmodell : MMBFJ175LT1G MMBFJ177LT1

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