MMBFJ175LT1G vs MMBFJ176

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ176 und MMBFJ175LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ176

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7683 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ175LT1G

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2714 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3
Beschreibung JFET P-CH 30V SOT23-3 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
Part Status Active -
Base Product Number MMBFJ1 -
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Resistance - RDS(On) 250 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
FETType - P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id - 3 V @ 10 nA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 11pF @ 10V (VGS)
Resistance-RDS(On) - 125 Ohms
Power-Max - 225 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : MMBFJ176 MMBFJ175LT1G

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