MMBFJ175LT1G vs MMBFJ113

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ113 und MMBFJ175LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ113

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3556 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ175LT1G

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2714 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23 SOT-23-3
Beschreibung JFET N-CH 35V 350MW SOT23 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 35 V 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 2 mA @ 15 V 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 500 mV @ 1 µA 3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On) 100 Ohms 125 Ohms
Power-Max 350 mW 225 mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 11pF @ 10V (VGS)
Vergleichsmodell : MMBFJ113 MMBFJ175LT1G

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