MMBFJ309LT1G vs MMBFJ113
Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ113 und MMBFJ309LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-23
SOT-23-3
Beschreibung
JFET N-CH 35V 350MW SOT23
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
-
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
35 V
-
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
2 mA @ 15 V
-
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
500 mV @ 1 µA
-
Resistance-RDS(On)
100 Ohms
-
Power-Max
350 mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
TransistorType
-
N-Channel JFET
CurrentRating(Amps)
-
30mA
Voltage-Rated
-
25 V
