MMBFJ309LT1G vs MMBFJ175

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ309LT1G und MMBFJ175 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ309LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3774 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren

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Part B

MMBFJ175

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4879 Stückzahl
Package: TO-236-3
Series: Transistoren von JFETs

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Full specification comparison

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Specification	MMBFJ309LT1G	MMBFJ175
Supplier	-	onsemi,Flip Electronics
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	-	P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)	-	30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)	-	7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id	-	3 V @ 10 nA
Rds On	-	125 Ohms
Power - Max	-	225 mW
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	-	Surface Mount
Transistor Type	N-Channel JFET	-
Current Rating (Amps)	30mA	-
Voltage - Rated	25 V	-

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