MMBFJ309LT1G vs MMBFJ175
Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ309LT1G und MMBFJ175 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-23-3
TO-236-3
Beschreibung
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Supplier
-
onsemi,Flip Electronics
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
-
P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
-
30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
-
7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
-
3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On)
-
125 Ohms
Power-Max
-
225 mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
TransistorType
N-Channel JFET
-
CurrentRating(Amps)
30mA
-
Voltage-Rated
25 V
-
